国家电网公司2021年配电箱(JP柜)供应商资质能力信息专项增量核实情况

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富含缺陷的氧化钒纳米纤维在1Ag-1下能提供256mAhg-1的存储容量，电网电箱在5Ag-1下进行1000次循环后仅提供17％的容量衰减。澳大利亚悉尼科技大学汪国秀教授课题组联合燕山大学邵光杰教授课题组通过一步固相烧结法合成了含氧缺陷钒酸钾/非晶碳纳米带三维网络复合材料（表示为C-KVO|Od），年配能力并系统地研究了它们的Zn2+存储行为[10]。

DFT计算表明，应商纯KVO和氧缺陷KVO结构中Zn2+的扩散势垒分别约为1.34和0.63eV（图5g），这说明氧缺陷的存在可以使沿ab平面的反应动力学更快。具体扩散路径如图5h-k所示，资质专项增量图5h，资质专项增量j中的正视图和图5j，k中的侧视图表明Zn2+扩散沿其隧道结构，可以看出，KVO中的氧缺陷可扩大隧道结构，从而促进Zn2+在背面上的扩散。因此，信息氧缺陷的VO2（VO1.75）在100mAg-1时达到375mAhg-1的放电容量，与无缺陷VO2（在100mAg-1时为280mAhg-1）相比，容量提高了34％。

这表明当从V6O13晶格中提取氧原子时，核实缺陷位置会形成有多余的电子，从而导致Od-VO的离域电子云增加来实现容量产生。中南大学胡久刚教授团队通过电纺合成了具有三维（3D）多孔结构且富含物理/化学缺陷的氧化钒纳米纤维（VCN），情况其中物理缺陷包括孔道和洞穴，情况化学缺陷为PAN的热解过程中产生的氧空位[12]。

笔者注意到，国家公司柜供新加坡国立大学薛军民与Wee Siang Vincent Lee老师团队[1]就缺陷工程技术如何增强锰基氧化物的电化学性能进行过详细的解释。

通过模拟沿b隧道的Zn离子扩散来计算VO2和VO1.75中的Zn离子扩散能垒（图3e），电网电箱当锌离子通过氧空位时，电网电箱VO1.75的扩散能垒（0.71eV）比纯VO2（0.78eV）低（图3f），较低的迁移能垒将使锌离子沿主晶格中的b隧道快速扩散。1、年配能力技术驱动在技术上占据制高点无疑是商业竞争中的核武器，这一点在三星身上便可窥知一二。

这也就意味着，应商未来将有越来越多的电视厂商尝试走出价格战的泥潭，应商新的结构革命似乎不可避免，而且很可能的结局是，要么在低端市场继续挣扎以量取胜，要么围攻中高端市场掠夺市场利润。诚然，资质专项增量单从数字上看，资质专项增量暴风、乐视等带有互联网标签的电视品牌更符合双11的风格，可如果考虑到电视行业深陷增量不增收的背景，TCL、海信等放弃价格战转攻高端市场，实则反映了电视市场竞争升级的趋势。

2、信息服务驱动消费升级成为2016年的关键词之一，人们购买力的提升却也是电视产品高端化发展的契机。作者简介：核实Alter，互联网观察者，长期致力于对智能硬件、云计算、VR等行业的观察研究。